氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高热导率(130W/(m.k))、热膨胀系数与Si、SiC、GaN等半导体相匹配等优点,非常适用于高功率模块的封装,被认为是陶瓷基板的最佳选择。
我公司采用高纯硅粉直接氮化工艺,通过对所用硅料、氮化工艺和细化工艺的独特专利技术控制,制备出高纯度、高α相含量、粒度分布窄、烧结活性高的基板级氮化硅粉体。该型号氮化硅粉体已打破国外垄断,可以完全替代同级别进口氮化硅粉体。
检测项目 | 单位 | 指标范围 | 检测设备或方法 |
α相 | % | ≥93 | X射线衍射仪 JC/T 2342-2015 |
Fe | ppm | ≤200 | 原子吸收法 ISO10058-3:2008 |
Al | ppm | ≤200 | |
Ca | ppm | ≤200 | |
N | % | ≥38.5 | 凯氏定氮仪 GB/T 16555-2017 |
游离Si | % | <0.1 | 气体容量法 GB/T 16555-2017 |
C | % | <0.1 | 高频红外定碳仪 GB/T 16555-2017 |
O | % | ≤1.2 | 惰气脉冲红外热导法 GB/T 16555-2017 |
D50 | μm | <0.9 | 激光粒度仪 GB/T19077-2016 |